凯发官网首页 2020年电力电子器件规模达69亿美元第三代半导体材料起重要作用
时间:2024-08-08 13:12:23氮化镓(GaN)技术成为了焦点▼□••◆■,其对于充电器的性能和效率都带来了革命性的影响△-■▪。 在传统的硅基
以碳化硅(SiC)●○▪△□◁、氮化镓(GaN)=★★•、氧化锌(ZnO)▽▷■、金刚石…☆、氮化铝(AIN)为代表的宽禁带半导体材料▽□▪▷-,被称为第三代半导体材料□○,目前发展较为成熟的是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)▪=◇,其主要应用于电力电子器件和射频器件制造中▲▼◆=●。
生产基地是广东省委和深圳市委重点关注的项目之一○▽■☆△,同时也是深圳全球招商大会的重点签约项目▷=◆◆…▪。
随着产业技术的成熟★▷○,SiC及GaN器件相较于Si器件的性能优势愈发明显▲▷,第三代功率器件的渗透率逐步提升…☆■=◆,应用领域越发广泛◆▼●◆。
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的四大分类与应用探索 /
在汽车行业的应用 /
能与成本=◇?未来有何发展目标=▽▷◆?•▲▽●△.○□◆=-.▲●◁•□.-=.▽▪.◆▪○●■=. 前言▷•▪: 凭借功率密度高☆▲•●、开关速度快○▽、抗辐照性强等优点△=▽▷▷,以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的
其次是基站领域▽▪▷◇,GaN射频器件在基站的应用占比将有所提升●▽。占比约43%○△☆△…•。据yole预测△◁◁•,随着5G基站的应用推广△○☆•=,较2018年增长了0▼○▽•.95亿美元-▽○▼◆;2019年○-•=,占比约46●•●;2020年GaN在射频领域的应用规模将达9△★▷.3亿美元…☆◆。
技术的新纪元 /
起投入碳化硅MOSFET芯片及模组封装技术的研究开发与产能建设▲◆☆。短短两年间=◁,芯联集成便已成功实现技术创新的
技术 碳化硅的产业结构分析 /
汽车的广泛应用○□◇△•,该领域的应用比例将大幅增长▷□●△-;而在GaN射频器件的下游应用领域中◁◆▼☆◁●,国防和基站是最大的应用领域▪☆…☆-,未来随着
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驱动LSM6DS3TR-C实现高效运动检测与数据采集(10)----融合磁力计进行姿态解算
在电力电子板块◆▽,SiC是电力电子器件的主要材料▪▽◆■•,而GaN的应用占比相对较小=◁。数据显示■…◁•▷◇,2018-2019年▲■◇○○○,全球SiC和GaN在电力电子器件的应用规模有所增长==,2019年达6★◁•▼◆.4亿美元■●○◆▽▪;据Yole预测•■○▼--,2020年▽•▪■,SiC和GaN的电力电子器件市场规模将达6◁•▽-.9亿美元▼☆●□△,增速有所下降●☆★,主要受全球疫情的影响▷◁。
动静态测试方案亮相IFWS /
◆▲,用于高压•▲•☆▽◆、高温…★•▽△◇、高频场景▽=▲。广泛应用于新能源汽车▷▪☆•▪▽、光伏△◁●•、工控等领域▲▼▷△△。因此
以GaN电力电子器件的应用情况为例△●○,2018-2019年◆◇○,主要应用于消费类电源领域■○•●▷,至2025年■△▼▪,新能源汽车的应用将占据主导地位□•▲,至2030年=☆★,工业市场的应用也开始起步-▲•★。
…◁。政策方面国家出台了一系列相关政策旨在大力提升先进计算●•◇▷、新型智能终端…◇◇▷、超高清视频☆◇○-、网络安全等数字优势产业竞争
在微波射频板块▷△■☆•,GaN射频器件的下游应用领域中△★▷…,国防是最大的应用领域□▲•▲▼,据yole预测△☆▽▼,市场应用规模达3○▷=.18亿美元☆◁◁▲•…,展提供产业发展探讨平台 /2019年凯发官网首页◇▲☆▽△◆,GaN是射频器件的主要原料凯发官网首页▼●◆▽。全球GaN在射频领域的应用规模达7○□•●.4亿美元◆▲…☆,应用规模达3▼◁○◁….42亿美元○●▲。