证券之星消息●◇▼•，根据企查查数据显示乾照光电（300102）新获得一项实用新型专利授权○☆□，专利名为▼◆★=“一种红光MiniLED外延结构◁○、红光MiniLED芯片及RGBMiniLED芯片□▷•■”◇□•◇，专利申请号为CN4●▽★☆.X☆•，授权日为2024年3月19日▪■▷。

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　　今年以来乾照光电新获得专利授权7个▼★◁••，较去年同期增加了75%•■▷◆-◇。结合公司2023年中报财务数据-•★□，2023上半年公司在研发方面投入了5279◁▼★▼.9万元=◇▷○，同比减8▲★.07%▷●•□。

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　　专利摘要•▽■★…☆：本实用新型提供一种红光MiniLED外延结构▷◇▷、红光Mini LED芯片及RGB Mini LED芯片●◆◁▷▼，其中Mini LED外延结构包括…■：堆迭结构△□△◁，堆迭结构包括依次层迭的第一型半导体层•-▲、第一界面层☆△、第一波导层☆-=★、有源区○•◇◁=、第二波导层…★•、第二界面层及第二型半导体层=-●☆，其中=•●◁，第一界面层可避免第一型半导体层的掺杂剂扩散导致第一型限制层及第一波导层界面粗化□▷◁▼■；第二界面层可避免第二型半导体层的掺杂剂扩散导致第二型限制层及第二波导层界面粗化☆■◇；同时还可避免第一型半导体层和第二型半导体层的掺杂剂扩散至有源区形成非辐射复合中心=▼□，导致可靠性降低的问题▷=；且★•，第一界面▼■、第一波导层•▪▼、第二波导层及第二界面层皆包括无掺杂的半导体材料层…△△，可有效提升有源区的晶体质量▼★★☆◆，进而提高内量子效率及光输出功率•▽=▷◆-。